經濟部產發署-台灣品牌耀飛計畫

【記者劉芳妙╱台北報導】

台達電集團昨（27）日宣布，旗下子公司碇基半導體推出最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，通過嚴格的DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）測試，驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020其專利雙面散熱結構能有效分離電氣和熱，解決高功率產品熱導問題，外界看好，有助未來搶攻AI商機。

台達電表示，該系列產品已應用於台達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上，以及半導體後段封裝廠及電源IC廠。台達表示，該產品在20萬小時長時間運作下，仍可維持優越效能，凸顯出產品高信賴性與可靠度。

台達電在2022年宣布成立碇基半導體，揮軍第三代半導體領域。由於第三代半導體具高效率、低能耗、散熱快等特性，台達電希望藉由掌握上游端設計，提供關鍵半導體零組件，掌握第三代半導體應用趨勢。去年碇基增資計畫獲得中美晶、日商羅姆半導體（Rohm）及力智電子支持。目前碇基資本額約7億元。

碇基總經理邢泰剛表示，寬能隙半導體氮化鎵（GaN）元件的應用為電力電子帶來革命性突破，運用GaN優異的物理特性，實現高效能和小型化。

除此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020，碇基將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件，滿足不同設計需求。

台達電電源及系統事業群總經理陳盈源表示，DMTBF測試結果證明碇基產品的可靠性和穩定性，可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。這款產品易於實現頂部散熱應用，並具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。

(聯合新聞網授權)